Fairchild Semiconductor FCD380N60E N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 10,2 A 106 W, 3-Pin DPAK
- RS Best.-Nr.:
- 774-1137
- Herst. Teile-Nr.:
- FCD380N60E
- Hersteller:
- Fairchild Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 774-1137
- Herst. Teile-Nr.:
- FCD380N60E
- Hersteller:
- Fairchild Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Fairchild Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | DPAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 106 W | |
| Gate-Source Spannung max. | +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.73mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Fairchild Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße DPAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 106 W | ||
Gate-Source Spannung max. +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.73mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 10 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 2.39mm | ||
- Ursprungsland:
- CN