Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 171-3655
Herst. Teile-Nr.:: TSM70N600CP ROG
Hersteller:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: TSM70N600CP ROG
Hersteller:: Taiwan Semiconductor

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Breite	6.1mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12,6 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Höhe	2.3mm

Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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