Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 1,85 A 77 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 171-3619
Herst. Teile-Nr.:: TSM2N100CP ROG
Hersteller:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 1,85 A 77 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 171-3619
Herst. Teile-Nr.:: TSM2N100CP ROG
Hersteller:: Taiwan Semiconductor

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,85 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	77 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.1mm
Höhe	2.3mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 1,85 A 77 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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