Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 688-7027
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4668PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

Preis pro 1 Stück**

€ 7,35

(ohne MwSt.)

€ 8,82

(inkl. MwSt.)

14 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.*

191 weitere lieferbar innerhalb 2 Werktag(e) (Mo-Fr).

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Stück	Pro Stück
1 +	€ 7,35

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 688-7027
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4668PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	130 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	10 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	520 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	161 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.31mm
Länge	15.87mm
Höhe	20.7mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Synchrongleichrichter-MOSFET

Verwandte Produkte