Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 100 A 313 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
217-2594
Herst. Teile-Nr.:
IRF200P223
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Höhe

34.9mm

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. .

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit

Bleifrei ; RoHS-kompatibel ; Halogenfrei

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