Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 827-4013
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP260MPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 18,73
(ohne MwSt.)
€ 22,48
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,746 | € 18,73 |
| 50 - 120 | € 3,072 | € 15,36 |
| 125 - 245 | € 2,888 | € 14,44 |
| 250 - 495 | € 2,698 | € 13,49 |
| 500 + | € 2,474 | € 12,37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-4013
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP260MPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 234nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 234nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.