Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-8608
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4020PBF
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-8608
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4020PBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.66mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.66mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4020PBF
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische Beständigkeit erforderlich ist. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und bietet eine praktische Lösung für diskrete Leistungsstufen und platinenmontierte Schaltkreise über einen breiten Temperaturbereich.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 100 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Typische Gate-Ladung von 18 nC sorgt für schnellere Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1,3 V senkt die Leitungsspannung der Diode während der Erholung
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 100 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Typische Gate-Ladung von 18 nC sorgt für schnellere Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1,3 V senkt die Leitungsspannung der Diode während der Erholung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Motorantriebs-Halbbrückenstufen
• Ideal für Offline-Schaltnetzteile
• Wird mit Leistungswandlern verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann für Hochspannungs-Relais- und Magnettreiber verwendet werden
• Geeignet für Laborprototypen und Tischstromexperimente
• Ideal für Offline-Schaltnetzteile
• Wird mit Leistungswandlern verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann für Hochspannungs-Relais- und Magnettreiber verwendet werden
• Geeignet für Laborprototypen und Tischstromexperimente
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler für einen sicheren Betrieb beachten?
Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden und ein zuverlässiges Schaltverhalten zu gewährleisten.
Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen bei gleichzeitiger Beibehaltung spezifizierter elektrischer Eigenschaften.
Welche Packungsaspekte beeinflussen das Leiterplatten-Layout und die Kühlung?
Der Durchsteckformfaktor TO-220 bietet eine einzelne isolierte Befestigungslasche und ermöglicht die direkte Befestigung an einem Kühlkörper oder Chassis für ein verbessertes Wärmemanagement.
Wie wirkt sich die Body-Diode auf die Wahl der Schalttopologie aus?
Die intrinsische Diode mit einem Vorwärtsabfall von 1,3 V sollte in Designs mit Umkehr-Wiederherstellungsereignissen berücksichtigt werden, um die Verlustleistung zu bewältigen und die Snubberanforderungen zu bestimmen.