Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8608
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4020PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.82 mm

Höhe

9.02mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.66mm

Automobilstandard

Nein

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