Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 26 A, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 7,56

(ohne MwSt.)

€ 9,08

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 3,78€ 7,56
20 - 48€ 3,44€ 6,88
50 - 98€ 3,21€ 6,42
100 - 198€ 2,995€ 5,99
200 +€ 2,755€ 5,51

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6757
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-674
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4227PBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde speziell für die nachhaltige Energierückgewinnung und Pass-Schalteranwendungen in Plasma-Anzeigetafeln entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich und eine niedrige EPULSE-Nennleistung zu erreichen.

150 Grad Celsius Betriebsabzweigtemperatur

Hohe sich wiederholende Spitzenstromleistung

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.