Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9.3 A 82 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 543-0068
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF630NPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 82W maximale Verlustleistung - IRF630NPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für eine Reihe von Anwendungen in der Automatisierungs- und Elektronikbranche konzipiert. Er bietet optimale Verlustleistung und effiziente Leistung, was für Hochleistungssysteme entscheidend ist. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 200 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 9,3 A gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen elektronischen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Nennleistung für umfangreiche elektrische Anwendungen
• Effizientes Design senkt den Wärmewiderstand für effektive Kühlung
• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Leistung in dynamischen Systemen
• Einfache Antriebsanforderungen helfen bei der Schaltungsintegration
• Vollständig lawinengeeignet, daher für raue Bedingungen geeignet
Anwendungsbereich
• Wird in industriellen Stromversorgungen zur Aufrechterhaltung einer stabilen Spannungsregelung verwendet
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für effiziente Funktionalität
• Ideal für DC-DC-Wandler und Power-Management-Schaltungen
• Einsatz in HLK-Systemen zur Steuerung von Kompressormotoren
• Geeignet für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien und zur Verbesserung der Energieeffizienz
Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die angelegt werden kann?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungsdesigns gewährleistet.
Wie verhält sich das Gerät bei der Wärmeabgabe während des Betriebs?
Er hat eine Verlustleistung von 82 W und ermöglicht so ein effizientes Wärmemanagement während des Betriebs.
Gibt es eine bestimmte Montageart, die für eine optimale Leistung empfohlen wird?
Der MOSFET ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, die ein zuverlässiges Wärmemanagement und elektrische Verbindungen ermöglicht.