Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 650-4277
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4227PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro 1 Stück**

€ 2,53

(ohne MwSt.)

€ 3,04

(inkl. MwSt.)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Stück	Pro Stück
1 - 9	€ 2,53
10 - 24	€ 2,40
25 - 49	€ 2,34
50 - 99	€ 2,20
100 +	€ 2,02

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 650-4277
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4227PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	65 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	70 nC @ 10 V
Breite	4.82mm
Länge	10.66mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-40 °C
Höhe	9.02mm

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Synchrongleichrichter-MOSFET

Verwandte Produkte