Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 913-3932
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4227PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 913-3932
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4227PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	65 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	70 nC @ 10 V
Länge	10.66mm
Breite	4.82mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Höhe	9.02mm

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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