Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 543-1099
Herst. Teile-Nr.:: IRF1405PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 543-1099
Herst. Teile-Nr.:: IRF1405PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	169 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	170 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	8.77mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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