Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 124-9022
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4668PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 124-9022
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4668PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	130 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	10 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	520 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	161 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.87mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.7mm

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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