Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
124-9022
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4668PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

161nC

Maximale Verlustleistung Pd

520W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.7mm

Breite

5.31 mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 130A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200V maximale Drain-Source-Spannung - IRFP4668PBF


Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen leistungsstarken N-Kanal-Baustein, der für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt wurde. Seine Abmessungen betragen 15,87 mm in der Länge, 5,31 mm in der Breite und 20,7 mm in der Höhe, untergebracht in einem TO-247AC-Gehäuse. Mit seinen robusten Spezifikationen, zu denen ein maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 130 A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 200 V gehören, ist er ideal für anspruchsvolle elektrische Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Verbesserte Body-Diode für verbesserte Schaltleistung

• Niedriger Rds(on) von 10mΩ minimiert den Leistungsverlust

• Hoher Wirkungsgrad in Synchrongleichrichterschaltungen

• Erhöhte Robustheit unter dynamischen dV/dt-Bedingungen

• Vollständig charakterisierte Avalanche und thermische Leistung für Zuverlässigkeit

Anwendungen


• Einsatz in Hochgeschwindigkeitsschaltungen

• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Ideal für hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen

• Anwendbar in verschiedenen Automatisierungs- und industriellen Energiesystemen

Was sind die thermischen Werte für einen sicheren Betrieb?


Die maximale Verlustleistung beträgt 520 W bei 25 °C, und die Sperrschichttemperatur sollte 175 °C nicht überschreiten, um einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Funktionalität aus?


Die Gate-Schwellenspannung reicht von 3V bis 5V, was eine effiziente Steuerung während der Schaltvorgänge ermöglicht, was für eine zuverlässige Leistung in Leistungsanwendungen entscheidend ist.

Kann dieser MOSFET hohe Impulsstromlasten bewältigen?


Ja, er ist für einen gepulsten Ableitstrom von bis zu 520 A ausgelegt und eignet sich damit für Hochleistungsanwendungen, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.

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