Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 173 A 230 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 273-3029
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7537TRLPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 173 A 230 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 273-3029
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Hersteller:: Infineon

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	173A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.30mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	142nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	230W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 173A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.30mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 142nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 230W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant

Datasheet - IRFS7537TRLPBF

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 173 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS7537TRLPBF

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und bietet eine hohe Leistungsaufnahme für Anwendungen, die eine effiziente Leitung und ein kontrolliertes Gate-Drive-Verhalten erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Verlustleistung von 230 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb bei hoher Last
• Rds(on) von 3,30 mΩ minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• 142 nC Gate-Ladung unterstützt vorhersehbare Schaltleistung
• 20 V Gate-Spannungstoleranz schützt vor Überspannungen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V reduziert den Spannungsabfall in Leitungswegen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Gleichstrommotorantriebe in industriellen Steuerungssystemen
• Ideal für Hochstromversorgungen und Wandler
• Einsatz mit Kfz-Elektronik, die einen breiten Temperaturbereich erfordert
• Kann für Schaltleistungsstufen in Wechselrichtern verwendet werden
• Nützlich in thermisch gesteuerten Stromverteilungsmodulen

Was sind die thermischen Betriebsgrenzen für einen zuverlässigen Einsatz?

Das Gerät unterstützt den Betrieb von -55 °C bis 175 °C.

Wie wirkt sich die Gehäusetyp auf die Montage und das Wärmemanagement aus?

Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse ermöglicht eine flache Leiterplattenmontage und eine effiziente Wärmeübertragung auf Kupferwaagen.

Welche Kanalcharakteristiken bestimmen die Schaltpolarität?

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der einen positiven Gate-Antrieb erfordert, um zu leiten.

Welche Spitzen-Dauerstrombelastbarkeit kann in Hochleistungsstromkreisen erwartet werden?

Die Komponente ist für kontinuierliche Ablassströme bis zu 173 A ausgelegt.