Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 688-6910
Herst. Teile-Nr.:: IRFB3306PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 688-6910
Herst. Teile-Nr.:: IRFB3306PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	160 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	230 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.82mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Länge	10.66mm
Höhe	9.02mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

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