Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-9198
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410ZPBF
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-9198
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410ZPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Breite | 4.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Breite 4.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 97 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4410ZPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in Leistungselektronikbaugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das in der Lage ist, einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom und eine hohe Ablassquellenspannung über einen breiten Umgebungsbereich zu bewältigen, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen und herkömmliche Kühlkörperanordnungen eignet.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-Source-Spannung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 97 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• 9 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 230 W ermöglicht eine dauerhafte Nutzung mit hoher Leistung
• 83 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 97 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• 9 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 230 W ermöglicht eine dauerhafte Nutzung mit hoher Leistung
• 83 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Stromversorgungen
• Wird für die Stromschaltung in Telekommunikations- und Serverversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping von Laborstromelektronik
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Stromversorgungen
• Wird für die Stromschaltung in Telekommunikations- und Serverversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping von Laborstromelektronik
Welcher Gehäusetyp ist für die Montage und Kühlung vorgesehen?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere Leiterplattenmontage und eine einfache Befestigung an einem Kühlkörper für das Wärmemanagement ermöglicht.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich bei der Schaltleistung berücksichtigen?
Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 83 nC bei Standard-Gate-Spannung
Gate-Treiber entwickelt, um genügend Strom zu liefern und zu senken, um Zielgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.
Wie wirkt sich der Sperrschichttemperaturbereich auf den Einsatz aus?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit breiten Umgebungs- und Sperrschichttemperaturen, sofern ein ausreichendes thermisches Design angewendet wird.
Was ist die Durchlassspannung bei der Leitungsleitung und welche Auswirkungen hat sie?
Die Durchlassspannung beträgt unter den angegebenen Bedingungen 1,3 V, was bei der Berechnung der Wärme- und Leistungsbudgets zur Berechnung der gesamten Leitungsverluste beiträgt.