Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 51 A 230 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
218-3120
Herst. Teile-Nr.:
IRFS52N15DTRLP
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Länge

10.67mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Der 1-N-Kanal-IR-MOSFET der Infineon IRFS-Serie. Dieser MOSFET wird in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern, Plasma-Display-Panels usw. verwendet

Bleifrei

Erhebliche Reduzierung der Schaltverluste

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