Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 51 A 230 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 21,00

(ohne MwSt.)

€ 25,20

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3 080 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10€ 2,10€ 21,00
20 - 40€ 1,996€ 19,96
50 - 90€ 1,912€ 19,12
100 - 240€ 1,828€ 18,28
250 +€ 1,702€ 17,02

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3120
Herst. Teile-Nr.:
IRFS52N15DTRLP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 1-N-Kanal-IR-MOSFET der Infineon IRFS-Serie. Dieser MOSFET wird in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern, Plasma-Display-Panels usw. verwendet

Bleifrei

Erhebliche Reduzierung der Schaltverluste

Verwandte Links