Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 200 A 230 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4467
Herst. Teile-Nr.:
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen.

Er ist bleifrei

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