Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 173 A 230 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 273-3030
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7537TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 173A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 142nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 173A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 142nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 173 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS7537TRLPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und bietet eine hohe Leistungsaufnahme für Anwendungen, die eine effiziente Leitung und ein kontrolliertes Gate-Drive-Verhalten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Verlustleistung von 230 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb bei hoher Last
• Rds(on) von 3,30 mΩ minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• 142 nC Gate-Ladung unterstützt vorhersehbare Schaltleistung
• 20 V Gate-Spannungstoleranz schützt vor Überspannungen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V reduziert den Spannungsabfall in Leitungswegen
• Rds(on) von 3,30 mΩ minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• 142 nC Gate-Ladung unterstützt vorhersehbare Schaltleistung
• 20 V Gate-Spannungstoleranz schützt vor Überspannungen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V reduziert den Spannungsabfall in Leitungswegen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Gleichstrommotorantriebe in industriellen Steuerungssystemen
• Ideal für Hochstromversorgungen und Wandler
• Einsatz mit Kfz-Elektronik, die einen breiten Temperaturbereich erfordert
• Kann für Schaltleistungsstufen in Wechselrichtern verwendet werden
• Nützlich in thermisch gesteuerten Stromverteilungsmodulen
• Ideal für Hochstromversorgungen und Wandler
• Einsatz mit Kfz-Elektronik, die einen breiten Temperaturbereich erfordert
• Kann für Schaltleistungsstufen in Wechselrichtern verwendet werden
• Nützlich in thermisch gesteuerten Stromverteilungsmodulen
Was sind die thermischen Betriebsgrenzen für einen zuverlässigen Einsatz?
Das Gerät unterstützt den Betrieb von -55 °C bis 175 °C.
Wie wirkt sich die Gehäusetyp auf die Montage und das Wärmemanagement aus?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse ermöglicht eine flache Leiterplattenmontage und eine effiziente Wärmeübertragung auf Kupferwaagen.
Welche Kanalcharakteristiken bestimmen die Schaltpolarität?
Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der einen positiven Gate-Antrieb erfordert, um zu leiten.
Welche Spitzen-Dauerstrombelastbarkeit kann in Hochleistungsstromkreisen erwartet werden?
Die Komponente ist für kontinuierliche Ablassströme bis zu 173 A ausgelegt.
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