Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON-8-4

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RS Best.-Nr.:
273-2628
Herst. Teile-Nr.:
BSC076N04NDATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON-8-4

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 40 V. Dieser MOSFET wurde für Antriebsanwendungen optimiert und ist zu 100 gegen Lawinendurchbruch getestet. Er ist für industrielle Anwendungen gemäß den einschlägigen Tests der JEDEC47 20 2 qualifiziert.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Beschichtung

Schnell schaltende MOSFETs

Herrvorragende Wärmebeständigkeit

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