Infineon Doppelt OptiMOS-T2 N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
218-3060
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N10S436AATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1mm

Breite

5.9mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101, RoHS

Länge

5.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der zweifache N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie. Es ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet.

Dual-N-Kanal - Erweiterungsmodus

100 % Lawinenprüfung

175 °C Betriebstemperatur

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