Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 55 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-8520
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S2L65AATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Breite

5.9 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Zweifach-N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 55 V. Sie bietet Vorteile einer größeren Quellkabelrahmenverbindung für die Drahtbindung und eine Klebeverbindung von 200 μm für bis zu 20 A Strom.

Kfz AEC Q101 zugelassen

• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow

• Betriebstemperatur: 175 °C.

• Grünes Gehäuse

• Sehr niedrige Rds

• 100 % Lawinenprüfung

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