Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 86 A 65 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3053
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N04S405ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das DPAK-Gehäuse (TO-252). Er hat niedrige Schalt- und Leitungsleistungsverluste.

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

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