Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 86 A 65 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
232-6772
Herst. Teile-Nr.:
ISZ0702NLSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.6mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

3.4mm

Breite

1.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 60 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Die Produkte bieten eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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