Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 62 A 69 W, 8-Pin PQFN

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 12,48

(ohne MwSt.)

€ 14,98

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 8 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 1,248€ 12,48
50 - 90€ 1,187€ 11,87
100 - 240€ 1,134€ 11,34
250 - 490€ 1,086€ 10,86
500 +€ 1,009€ 10,09

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4343
Herst. Teile-Nr.:
BSZ096N10LS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

Verwandte Links