Infineon Erweiterungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 54 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9060
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
€ 16,38
(ohne MwSt.)
€ 19,65
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 4 995 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | € 1,092 | € 16,38 |
| 75 - 135 | € 1,037 | € 15,56 |
| 150 - 360 | € 0,935 | € 14,03 |
| 375 + | € 0,929 | € 13,94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9060
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Erweiterungsmodus | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Erweiterungsmodus | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 5.9 mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Logikebene - Enhancement Mode, ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon Erweiterungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON-8-4
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal 3-Pin
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220