Infineon Erweiterungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 54 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9060
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N04S4L08AATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Erweiterungsmodus

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Breite

5.9 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Logikebene - Enhancement Mode, ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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