STMicroelectronics G-HEMT, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 15 A, 4-Pin Trommel

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 2,69

(ohne MwSt.)

€ 3,228

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 48€ 1,345€ 2,69
50 - 98€ 1,31€ 2,62
100 - 248€ 1,28€ 2,56
250 - 998€ 1,265€ 2,53
1000 +€ 1,25€ 2,50

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
265-1035
Herst. Teile-Nr.:
SGT120R65AL
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

Trommel

Serie

G-HEMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der E-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics wird mit einer etablierten Verpackungstechnologie kombiniert. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Strombelastbarkeit und extrem schnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und unschlagbare Effizienz zu ermöglichen.

Verbesserungsmodus: Transistor normalerweise ausgeschaltet

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagementfähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Quelle für optimalen Gate-Antrieb

Null umgekehrte Erholungsladung

Verwandte Links