STMicroelectronics G-HEMT, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 15 A, 4-Pin Trommel

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RS Best.-Nr.:
265-1035
Herst. Teile-Nr.:
SGT120R65AL
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

G-HEMT

Gehäusegröße

Trommel

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der E-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics wird mit einer etablierten Verpackungstechnologie kombiniert. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Strombelastbarkeit und extrem schnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und unschlagbare Effizienz zu ermöglichen.

Verbesserungsmodus: Transistor normalerweise ausgeschaltet

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagementfähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Quelle für optimalen Gate-Antrieb

Null umgekehrte Erholungsladung

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