STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 47 W, 2-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 719-637
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT350R70GTK
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 3.810,00
(ohne MwSt.)
€ 4.572,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 - 22500 | € 1,524 | € 3.810,00 |
| 25000 - 247500 | € 1,019 | € 2.547,50 |
| 250000 - 1247500 | € 0,851 | € 2.127,50 |
| 1250000 - 2497500 | € 0,818 | € 2.045,00 |
| 2500000 + | € 0,792 | € 1.980,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 719-637
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT350R70GTK
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -1.4, 7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.2mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie G-HEMT | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -1.4, 7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.2mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.7mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 700-V-6-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer bewährten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen. Empfohlen für Verbraucher-QR-Anwendungen mit Nullstrom-Einschaltung.
Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
Extrem niedrige Kapazitäten
Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung
Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung
ESD-Schutz
Verwandte Links
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 2-Pin TO-252
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 13-Pin TO-LL
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics G-HEMT 4-Pin Trommel