STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 47 W, 2-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
719-637
Herst. Teile-Nr.:
SGT350R70GTK
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

P-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

G-HEMT

Montageart

SMD

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Gate-Source-spannung max Vgs

-1.4 to 7 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.7 mm

Länge

6.2mm

Höhe

2.4mm

Ursprungsland:
CN
Der 700-V-6-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer bewährten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen. Empfohlen für Verbraucher-QR-Anwendungen mit Nullstrom-Einschaltung.

Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung

Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung

ESD-Schutz

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