STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Transistor Erweiterung 700 V / 11.5 A 83 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 719-635
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT190R70ILB
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | G-HEMT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -6 to 7 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie G-HEMT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -6 to 7 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 8.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
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