STMicroelectronics STL, Oberfläche MOSFET 40 V / 103 A 52 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 365-175
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N4LF8
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 1,13
(ohne MwSt.)
€ 1,36
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 3 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,13 |
| 10 - 99 | € 1,02 |
| 100 - 499 | € 0,94 |
| 500 - 999 | € 0,86 |
| 1000 + | € 0,78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 365-175
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N4LF8
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 103A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.85mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 103A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.85mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist ein fortschrittlicher STripFET F8, der dank niedriger Bauelementekapazitäten, die die dynamischen Parameter und Schaltverluste minimieren, höhere Schaltfrequenzen als bisherige Technologien erreicht. Dies ermöglicht es den Entwicklern, kleinere kapazitive und magnetische Komponenten in kompakteren und kostengünstigeren Lösungen zu verwenden und gleichzeitig die Leistungsdichte der endgültigen Anwendung zu erhöhen.
Optimierte Gate-Ladung für schnellere Kommutierungsgeschwindigkeiten
Höhere Immunität gegen unerwünschtes Einschalten
Niedrigerer RDS(on) für höhere Systemeffizienz
Verwandte Links
- STMicroelectronics STL 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
