STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Transistor Erweiterung 700 V / 26 A 231 W, 13-Pin TO-LL

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RS Best.-Nr.:
719-630
Herst. Teile-Nr.:
SGT070R70HTO
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

P-Kanal

Produkt Typ

Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

G-HEMT

Gehäusegröße

TO-LL

Montageart

SMD

Pinanzahl

13

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

231W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.58mm

Höhe

2.4mm

Ursprungsland:
CN
Der 700-V-26-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer etablierten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen.

Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung

Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung

ESD-Schutz

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