STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Transistor Erweiterung 700 V / 29 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
719-632
Herst. Teile-Nr.:
SGT080R70ILB
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Transistor

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-6 to 7 V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Ursprungsland:
CN
Der 700-V-29-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer etablierten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen.

Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung

Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung

ESD-Schutz

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