Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 120 A TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
259-1546
Herst. Teile-Nr.:
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die 120-V-Optimos-Familie von Infineon bietet gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand der Branche und das schnellste Schaltverhalten, wodurch eine hervorragende Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen erreicht werden kann. Die 120-V-Optimos-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Sehr geringe Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

RoHS-konform, halogenfrei

MSL1-Schutzart 2

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