Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-5859
Herst. Teile-Nr.:
IPB029N06NF2SATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.

Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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