Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 120 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 259-1545
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB038N12N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 2.181,00
(ohne MwSt.)
€ 2.617,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Jänner 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 2,181 | € 2.181,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1545
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB038N12N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 120-V-Optimos-Familie von Infineon bietet gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand der Branche und das schnellste Schaltverhalten, wodurch eine hervorragende Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen erreicht werden kann. Die 120-V-Optimos-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.
Ausgezeichnete Schaltleistung
Weltweit niedrigste R DS(on)
Sehr geringe Q g und Q gd
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
RoHS-konform, halogenfrei
MSL1-Schutzart 2
Verwandte Links
- Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 100 A 300 W TO-263
- Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon iPB N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon iPB N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 135 A TO-263