Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 5,41

(ohne MwSt.)

€ 6,49

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 525 Einheit(en) mit Versand ab 28. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 5,41
10 - 24€ 5,15
25 - 49€ 4,93
50 - 99€ 4,70
100 +€ 4,39

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3786
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Durchlassspannung Vf

0.89V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Linear-FET OptiMOS von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand und dem Betrieb mit linearen Modusfähigkeiten im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trennschlitz-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.

Hoher max. Impulsstrom

Hoher durchgehender Impulsstrom

Robuster Betrieb im linearen Modus

Geringe Leitungsverluste

Verwandte Links