Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 6,17

(ohne MwSt.)

€ 7,404

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 984 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 3,085€ 6,17
20 - 48€ 2,59€ 5,18
50 - 98€ 2,405€ 4,81
100 - 198€ 2,255€ 4,51
200 +€ 2,095€ 4,19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5118
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links