Infineon iPB N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
260-5120
Herst. Teile-Nr.:
IPB180N06S4H1ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

100 % Lawinengeprüft

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