Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5121
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N10S402ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 1.920,00
(ohne MwSt.)
€ 2.300,00
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 1,92 | € 1.920,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5121
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N10S402ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.
N-Kanal-Verbesserungsmodus
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
100 % Lawinengeprüft
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon IPB180N10S4-02 N-Kanal 7 + Tab-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 250 W TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 90 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263