Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
260-5117
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

100 % Lawinengeprüft

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