Infineon BSZ Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P +20 V / 5.10 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 250-0564
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | +20V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. +20V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,10 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ15DC02KDHXTMA1
Dieser MOSFET ist ein Zweikanal-Halbleitergerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in kompakter Elektronik entwickelt wurde. Er unterstützt sowohl N- als auch P-Kanalbetrieb, wird in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erfordern. Die Komponente entspricht der RoHS-Richtlinie und ist für erweiterte Temperaturumgebungen spezifiziert.
Merkmale und Vorteile:
• 150 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Schalten
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 20 V max. Vds unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 5,10 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt anhaltende Lastströme
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine hohe Handhabung transienter Energien
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 20 V max. Vds unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 5,10 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt anhaltende Lastströme
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine hohe Handhabung transienter Energien
Anwendungsbereich
• Geeignet für Point-of-Load-Schaltregler
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Stufen
• Einsatz mit Mixed-Signal-Power-Management-Schaltkreisen
• Kann zum Schutz der Batterie und zum Schalten der Last verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Stufen
• Einsatz mit Mixed-Signal-Power-Management-Schaltkreisen
• Kann zum Schutz der Batterie und zum Schalten der Last verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Befestigung und Pinanzahl sind erforderlich?
Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Komponente, die in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert wird.
Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf das Schaltungsdesign aus?
Die Verfügbarkeit sowohl von N-Kanal- als auch von P-Kanal-Typen ermöglicht komplementäre Topologien und eine vereinfachte Pegelverschiebung in bidirektionalen Schaltern.
Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus der Gate-Ladung?
Eine Gate-Ladung von 80 nC erfordert einen Gate-Treiber, der für die beabsichtigte Schaltgeschwindigkeit geeignet ist, um Übergangsenergie und Schaltverluste zu verwalten.
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