Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
250-0564
Herst. Teile-Nr.:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons fertigt diese Complementary P + N Kanal, Enhancement-Modus. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Baustein ist ein OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Small-Signal-Transistor mit Super Logikpegel (2,5 V Nennspannung). Das Produkt hat einen gemeinsamen Abfluss und ist Avalanche-getestet. Die Betriebstemperatur beträgt 175 °C. Das Produkt ist 100 % bleifrei und halogenfrei.

Super Logikpegel (2,5 V Nennspannung)

100 % bleifrei

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