Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 101 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat 60 V Ablassquellenspannung (VDS) und 101 A Ablassstrom (ID). Sein Logikpegel eignet sich hervorragend für drahtlose Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die niedrige Gate-Ladung (Q g) der Geräte reduziert Schaltverluste ohne Kompromisse bei Leitungsverlusten. Die verbesserten Leistungszahlen ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen. Darüber hinaus liefert der Logikpegeltreiber eine niedrige Gate-Schwellenwertspannung (V GS(th)), mit der die MOSFETs mit 5 V und direkt von Mikrocontrollern betrieben werden können.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. synchrone Gleichrichtung,
100 % Avalanche geprüft,
hervorragende Wärmebeständigkeit,
N-Kanal,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Kabelbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21