Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
244-1565
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0503NSIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon verfügt über einen MOSFET, der OptiMOS-Leistungs-MOSFET, eine integrierte monolithische Schottky-ähnliche Diode und einen für Hochleistungs-Abwärtswandler optimierten MOSFET.

N-Kanal

Hervorragende thermische Beständigkeit

Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform

Halogenfrei nach IEC61249-2-21

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