Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P -30 V / -40 A 52 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 258-0718
Herst. Teile-Nr.:: BSZ120P03NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P -30 V / -40 A 52 W, 8-Pin TDSON

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.105,00

(ohne MwSt.)

€ 1.325,00

(inkl. MwSt.)

Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	€ 0,221	€ 1.105,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-0718
Herst. Teile-Nr.:: BSZ120P03NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSZ
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12mΩ
	Channel-Modus	P
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	25V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Maximale Verlustleistung Pd	52W
	Durchlassspannung Vf	-1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSZ
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ
	Channel-Modus P
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 25V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Maximale Verlustleistung Pd 52W
	Durchlassspannung Vf -1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 30 V Drain-Source-Spannung, 40 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ120P03NS3GATMA1

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den spezifizierten Material- und Umweltstandards, wodurch es sich für elektronische Anwendungen eignet, die eine kontrollierte Leistungsaufnahme und eine kompakte Verpackung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Niedrige Rds(on) von 12 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Die Verlustleistung von 52 W ermöglicht eine höhere Wärmeleistung
• Gate-Ladung von 30 nC unterstützt eine schnellere Schaltleistung
• Gate-Toleranz von ±25 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Designs
• Das Surface TDSON-Gehäuse ermöglicht ein dichtes Board-Layout

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Polaritätsschaltkreise
• Ideal für den Schutz von Stromschienen und das Schalten von Lasten
• Wird mit Motortreiberstufen verwendet, die P-Kanal-Geräte erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?

Es funktioniert von -55 °C bis 150 °C für eine große thermische Spanne.

Wie wirkt sich die Anzahl der Pins auf die Leiterplattenverlegung aus?

Acht Pins ermöglichen eine getrennte Drain-, Source- und Gate-Konnektivität für eine sichere thermische und elektrische Verlegung.

Welche Norm regelt die Materialspezifikation?

Er erfüllt die IEC 61249-2-21 für die Anforderungen an Leiterplattenmaterialien.

Ist sie für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?

Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität eingestuft.

Welche Umweltrichtlinie erfüllt es in Bezug auf gefährliche Stoffe?

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen zur Begrenzung des Gehalts an gefährlichen Stoffen.