Infineon BSZ Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 20 V / 5.1 A, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
258-0721
Herst. Teile-Nr.:
BSZ215CHXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Doppelt

Durchlassspannung Vf

0.7V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die komplementären Leistungs-MOSFETs von Infineon – ein N-Kanal- und ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im gleichen Gehäuse – sind Teil der bekannten Niederspannungs-OptiMOS-Familien, der Marktführer bei hocheffizienten Lösungen für Stromerzeugung, Stromversorgung und Stromverbrauch.

Komplementärer P- + N-Kanal

Verstärkungsmodus

Avalanche-geschützt

Qualifiziert gemäß AEC Q101

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