Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-0710
Herst. Teile-Nr.:
BSZ018N04LS6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

158A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.78V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die 40-V-Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS 6 ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Stromkreisen optimiert, wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Stromkreisen. Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand ermöglichen es Entwicklern, die Effizienz zu erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbildung ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Sehr niedrige Spannungsüberschreitung

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