Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
259-1480
Herst. Teile-Nr.:
BSZ019N03LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9Ω

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, wodurch optimos 30 V die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen ist. Die 30-V-Produkte von optimos sind durch ein verbessertes EMI-Verhalten sowie eine längere Batterielebensdauer auf die Anforderungen der Stromversorgung in Notebooks zugeschnitten. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration.

Erhöhte Batterielebensdauer

Verbesserte elektromagnetische Störungen machen externe Schnubber-Netzwerke obsolet

Kostenersparnis

Platzsparend

Verringerung der Leistungsverluste

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