Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 223 A, 8-Pin TSDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 3.690,00

(ohne MwSt.)

€ 4.430,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5 000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,738€ 3.690,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-0705
Herst. Teile-Nr.:
BSZ009NE2LS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

223A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 25-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon im kleinen PQFN-Gehäuse von 3,3 x 3 x 3 mm. Dieses Gerät bietet den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,9 mΩ bei 10 V und richtet sich hauptsächlich an Or-ing- und Last-Schaltanwendungen.

Extrem niedrige Ladungen

Ideal für Hochleistungsanwendungen

RoHS-konform – halogenfrei

Verwandte Links