Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 223 A, 8-Pin TSDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-0706
Herst. Teile-Nr.:
BSZ009NE2LS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

223A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 25-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon im kleinen PQFN-Gehäuse von 3,3 x 3 x 3 mm. Dieses Gerät bietet den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,9 mΩ bei 10 V und richtet sich hauptsächlich an Or-ing- und Last-Schaltanwendungen.

Extrem niedrige Ladungen

Ideal für Hochleistungsanwendungen

RoHS-konform – halogenfrei

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