Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
241-9704
Herst. Teile-Nr.:
BSZ039N06NSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor Infineon OptiMOS ist ein N-Kanal-MOSFET, der gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen vollständig qualifiziert ist. Er verfügt über eine höhere Zuverlässigkeit von Lötverbindungen durch erweiterte Quellenverbindung.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS,

überragender Wärmewiderstand

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