Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 2.415,00

(ohne MwSt.)

€ 2.900,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,483€ 2.415,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
241-9704
Herst. Teile-Nr.:
BSZ039N06NSATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor Infineon OptiMOS ist ein N-Kanal-MOSFET, der gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen vollständig qualifiziert ist. Er verfügt über eine höhere Zuverlässigkeit von Lötverbindungen durch erweiterte Quellenverbindung.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS,

überragender Wärmewiderstand

Verwandte Links